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- Artikelnummer:
- VQ1001P-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix VQ1001P-E3 elektronische Komponenten. VQ1001P-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VQ1001P-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
VQ1001P-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VQ1001P-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
4 N-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
110pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
-
Supplier Device Package :
14-DIP
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