SIZ980DT-T1-GE3 Preise (USD) [129208Stück Lager]
- 1 pcs$0.28626
- Artikelnummer:
- SIZ980DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZ980DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZ980DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZ980DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZ980DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZ980DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Leistung max :
20W, 66W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair®
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