IPI90N06S4L04AKSA2 Preise (USD) [55006Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI90N06S4L04AKSA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA2 elektronische Komponenten. IPI90N06S4L04AKSA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI90N06S4L04AKSA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI90N06S4L04AKSA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI90N06S4L04AKSA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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