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- Artikelnummer:
- IRFH5020TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH5020TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH5020TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2290pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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