BSZ110N06NS3GATMA1 Preise (USD) [296365Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ110N06NS3GATMA1 elektronische Komponenten. BSZ110N06NS3GATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ110N06NS3GATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ110N06NS3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ110N06NS3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 23µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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