IPD65R660CFDBTMA1 Preise (USD) [133880Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD65R660CFDBTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 6A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD65R660CFDBTMA1 elektronische Komponenten. IPD65R660CFDBTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD65R660CFDBTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD65R660CFDBTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD65R660CFDBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
615pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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