Artikelnummer :
RZF013P01TL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 6V
Verlustleistung (max.) :
800mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TUMT3
Paket / fall :
3-SMD, Flat Leads