Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3PB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
26A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 13A, 10V
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 30V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 220W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PB
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3