SISH410DN-T1-GE3 Preise (USD) [183360Stück Lager]
- 1 pcs$0.20172
- Artikelnummer:
- SISH410DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 elektronische Komponenten. SISH410DN-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SISH410DN-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SISH410DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SISH410DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
41nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8SH
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