TSM80N1R2CL C0G Preise (USD) [43700Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TSM80N1R2CL C0G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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TSM80N1R2CL C0G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM80N1R2CL C0G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
685pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-262S (I2PAK)
Paket / fall :
TO-262-3 Short Leads, I²Pak
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