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- Artikelnummer:
- SPB80N03S2-03
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPB80N03S2-03 elektronische Komponenten. SPB80N03S2-03 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPB80N03S2-03 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPB80N03S2-03 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPB80N03S2-03
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7020pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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