Infineon Technologies - IPW65R660CFDFKSA1

KEY Part #: K6405522

IPW65R660CFDFKSA1 Preise (USD) [1637Stück Lager]

  • 240 pcs$0.72580

Artikelnummer:
IPW65R660CFDFKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 6A TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPW65R660CFDFKSA1 elektronische Komponenten. IPW65R660CFDFKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPW65R660CFDFKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW65R660CFDFKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPW65R660CFDFKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 700V 6A TO247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 615pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3

Sie könnten auch interessiert sein an