APTC90H12T1G Preise (USD) [4042Stück Lager]
- 100 pcs$32.07046
- Artikelnummer:
- APTC90H12T1G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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APTC90H12T1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTC90H12T1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
270nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6800pF @ 100V
Leistung max :
250W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
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