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Microsemi Corporation - APT14M100B

KEY Part #: K6394089

APT14M100B Preise (USD) [12598Stück Lager]

  • 1 pcs$3.61646
  • 71 pcs$3.59847
Artikelnummer:
APT14M100B
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT14M100B elektronische Komponenten. APT14M100B kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT14M100B haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT14M100B Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT14M100B
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3965pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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