NTMFS6B03NT1G Preise (USD) [24328Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTMFS6B03NT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NTMFS6B03NT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTMFS6B03NT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Ta), 132A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.4W (Ta), 165W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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