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ON Semiconductor - FDU8586

KEY Part #: K6410011

[83Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDU8586
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDU8586 elektronische Komponenten. FDU8586 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDU8586 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDU8586 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDU8586
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2480pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 77W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : I-PAK
    Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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