SQJ200EP-T1_GE3 Preise (USD) [189774Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQJ200EP-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQJ200EP-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQJ200EP-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQJ200EP-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQJ200EP-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
975pF @ 10V
Leistung max :
27W, 48W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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