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- Artikelnummer:
- IRF8910GPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF8910GPBF elektronische Komponenten. IRF8910GPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF8910GPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF8910GPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF8910GPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 10V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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