Artikelnummer :
IRF8910GPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 10V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO