Artikelnummer :
IPB156N22NFDATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 220V TO263-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
220V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6930pF @ 110V
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB