SI1029X-T1-GE3 Preise (USD) [471021Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI1029X-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 60V SC89-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SI1029X-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI1029X-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.75nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
30pF @ 25V
Leistung max :
250mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
SC-89-6
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