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- Artikelnummer:
- SI5402DC-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI5402DC-T1-E3 elektronische Komponenten. SI5402DC-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI5402DC-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI5402DC-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI5402DC-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
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