BSO612CVGHUMA1 Preise (USD) [210131Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSO612CVGHUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 elektronische Komponenten. BSO612CVGHUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO612CVGHUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO612CVGHUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO612CVGHUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
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