Infineon Technologies - BSC026N02KSGAUMA1

KEY Part #: K6419822

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Artikelnummer:
BSC026N02KSGAUMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC026N02KSGAUMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSC026N02KSGAUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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