ON Semiconductor - FQU4N50TU-WS

KEY Part #: K6418826

FQU4N50TU-WS Preise (USD) [79254Stück Lager]

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Artikelnummer:
FQU4N50TU-WS
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQU4N50TU-WS elektronische Komponenten. FQU4N50TU-WS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQU4N50TU-WS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU4N50TU-WS Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQU4N50TU-WS
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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