IPT60R080G7XTMA1 Preise (USD) [25134Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPT60R080G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 elektronische Komponenten. IPT60R080G7XTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPT60R080G7XTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPT60R080G7XTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPT60R080G7XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Serie :
CoolMOS™ G7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1640pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
167W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-2
Paket / fall :
8-PowerSFN
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