IXYS - IXFN60N80P

KEY Part #: K6398518

IXFN60N80P Preise (USD) [3327Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFN60N80P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN60N80P elektronische Komponenten. IXFN60N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN60N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN60N80P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFN60N80P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Serie : PolarHV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 53A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 18000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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