Infineon Technologies - IRF8788TRPBF

KEY Part #: K6407496

IRF8788TRPBF Preise (USD) [167525Stück Lager]

  • 1 pcs$0.22079
  • 4,000 pcs$0.21196

Artikelnummer:
IRF8788TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF8788TRPBF elektronische Komponenten. IRF8788TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF8788TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8788TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF8788TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5720pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • IRLR130ATM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 13A DPAK.