IPD5N25S3430ATMA1 Preise (USD) [273862Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD5N25S3430ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1 elektronische Komponenten. IPD5N25S3430ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD5N25S3430ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD5N25S3430ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD5N25S3430ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
422pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-313
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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