Renesas Electronics America - NP100P04PDG-E1-AY

KEY Part #: K6405704

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Artikelnummer:
NP100P04PDG-E1-AY
Hersteller:
Renesas Electronics America
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NP100P04PDG-E1-AY Produkteigenschaften

Artikelnummer : NP100P04PDG-E1-AY
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 320nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15100pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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