ZXMN10A07ZTA Preise (USD) [347533Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN10A07ZTA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA elektronische Komponenten. ZXMN10A07ZTA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN10A07ZTA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN10A07ZTA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN10A07ZTA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-89-3
Paket / fall :
TO-243AA
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