IPB117N20NFDATMA1 Preise (USD) [26446Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB117N20NFDATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB117N20NFDATMA1 elektronische Komponenten. IPB117N20NFDATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB117N20NFDATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB117N20NFDATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB117N20NFDATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.7 mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6650pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-3
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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