EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

Familienkategorien:: KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Leistungstreibermodule ...

Wettbewerbsvorteil:: Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2012 elektronische Komponenten. EPC2012 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2012 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com

Artikelnummer : EPC2012

Hersteller : EPC

Beschreibung : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : N-Channel

Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Die

Paket / fall : Die

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