Infineon Technologies - IPN60R1K5CEATMA1

KEY Part #: K6421206

IPN60R1K5CEATMA1 Preise (USD) [392303Stück Lager]

  • 1 pcs$0.09428
  • 3,000 pcs$0.07782

Artikelnummer:
IPN60R1K5CEATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
CONSUMER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPN60R1K5CEATMA1 elektronische Komponenten. IPN60R1K5CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPN60R1K5CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R1K5CEATMA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPN60R1K5CEATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : CONSUMER
Serie : CoolMOS™ CE
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 200pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223
Paket / fall : SOT-223-3

Sie könnten auch interessiert sein an