C3M0075120D Preise (USD) [3887Stück Lager]
- 1 pcs$11.14236
- Artikelnummer:
- C3M0075120D
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Cree/Wolfspeed C3M0075120D elektronische Komponenten. C3M0075120D kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu C3M0075120D haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
C3M0075120D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
C3M0075120D
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC
Serie :
C3M™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 15V
Vgs (Max) :
+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 1000V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
113.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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