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- Artikelnummer:
- IPT60R150G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Chip von:
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IPT60R150G7XTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPT60R150G7XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
Serie :
CoolMOS™ G7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
902pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
106W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-2
Paket / fall :
8-PowerSFN
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