IRFB4137PBF Preise (USD) [13397Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFB4137PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
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- Chip von:
- Hongkong
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IRFB4137PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFB4137PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5168pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
341W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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