Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J56MFV,L3F

KEY Part #: K6419288

SSM3J56MFV,L3F Preise (USD) [1298908Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04473
  • 8,000 pcs$0.04451

Artikelnummer:
SSM3J56MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV,L3F elektronische Komponenten. SSM3J56MFV,L3F kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SSM3J56MFV,L3F haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J56MFV,L3F Produkteigenschaften

Artikelnummer : SSM3J56MFV,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 100pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : VESM
Paket / fall : SOT-723

Sie könnten auch interessiert sein an