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- Artikelnummer:
- SPI80N03S2L-05
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPI80N03S2L-05 elektronische Komponenten. SPI80N03S2L-05 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPI80N03S2L-05 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPI80N03S2L-05 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPI80N03S2L-05
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 110µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
89.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3320pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
167W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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