SSM6P35FE(TE85L,F) Preise (USD) [755728Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM6P35FE(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35FE(TE85L,F) elektronische Komponenten. SSM6P35FE(TE85L,F) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SSM6P35FE(TE85L,F) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SSM6P35FE(TE85L,F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6P35FE(TE85L,F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12.2pF @ 3V
Leistung max :
150mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
ES6 (1.6x1.6)
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