SIDR610DP-T1-GE3 Preise (USD) [48704Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIDR610DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIDR610DP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIDR610DP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIDR610DP-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIDR610DP-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
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