Artikelnummer :
IXTH60N20L2
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
255nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10500pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
540W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 (IXTH)