Infineon Technologies - IRLML2060TRPBF

KEY Part #: K6417158

IRLML2060TRPBF Preise (USD) [785497Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04709
  • 3,000 pcs$0.04511

Artikelnummer:
IRLML2060TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLML2060TRPBF elektronische Komponenten. IRLML2060TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLML2060TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML2060TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRLML2060TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.67nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 64pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Micro3™/SOT-23
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3