IPN95R2K0P7ATMA1 Preise (USD) [186859Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPN95R2K0P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 950V 4A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPN95R2K0P7ATMA1 elektronische Komponenten. IPN95R2K0P7ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPN95R2K0P7ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPN95R2K0P7ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPN95R2K0P7ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
950V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
TO-261-3
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