IXYS - IXFH14N100Q

KEY Part #: K6401330

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    Artikelnummer:
    IXFH14N100Q
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH14N100Q elektronische Komponenten. IXFH14N100Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH14N100Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH14N100Q Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFH14N100Q
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
    Serie : HiPerFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-247AD (IXFH)
    Paket / fall : TO-247-3

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