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- Artikelnummer:
- BSP149 E6327
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BSP149 E6327 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSP149 E6327
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
660mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 400µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223-4
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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