IPC302N10N3X1SA1 Preise (USD) [35765Stück Lager]
- 1 pcs$2.22553
- Artikelnummer:
- IPC302N10N3X1SA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC302N10N3X1SA1 elektronische Komponenten. IPC302N10N3X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC302N10N3X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC302N10N3X1SA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC302N10N3X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 302µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Paket / fall :
Die
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