Artikelnummer :
DMN2011UFDE-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
84nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3372pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
610mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad