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- Artikelnummer:
- SI3588DV-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI3588DV-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI3588DV-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI3588DV-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI3588DV-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI3588DV-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Leistung max :
830mW, 83mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
6-TSOP
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