DMN1150UFL3-7 Preise (USD) [952744Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1150UFL3-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN1150UFL3-7 elektronische Komponenten. DMN1150UFL3-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN1150UFL3-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN1150UFL3-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1150UFL3-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
115pF @ 6V
Leistung max :
390mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
X2-DFN1310-6 (Type B)
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