Advanced Linear Devices Inc. - ALD1110EPAL

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ALD1110EPAL Preise (USD) [14390Stück Lager]

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Artikelnummer:
ALD1110EPAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD1110EPAL Produkteigenschaften

Artikelnummer : ALD1110EPAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
Serie : EPAD®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Leistung max : 600mW
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 8-PDIP

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